Array
在String中，cell是串行方式連接的，一般32或64個一組，兩端分別通過MSL連接到source line，MDL連接到bit line，並分別由晶體管控制開斷。每個string和相鄰的string（圖中是上下方向）共用bit line。control gate是通過wordlines連接在一起。
Page是一個邏輯上的概念，page是由同一根wordline上的cell組成的。一根wordline上的page個數是由cell存儲bit的能力決定的。SLC memory 單個cell可以存儲1bit信息，MLC則可以存儲2bit，TLC是3bit，QLC則是4bit。按照圖中示意，bitline 分爲even/odd兩組，相應的cell也分爲了兩組，這兩組分別屬於兩個page。
根據以上定義，則一個SLC的設備，一根wordline可以分爲兩個page，假設總共有65536個cell，則每個page的大小爲4KB。
而MLC單個cell可以存儲2bit的信息，則從邏輯上又可以進一步細分爲兩個page，一個是lower page，即由LSB（least significant bit）組成，一個是upper page,由MSL（most significant）組成。這樣一個MLC的設備，一根wordline就分爲了四個page。類似的，TLC單個cell可以存儲3bit的信息，則有lower/middle/upper page。
對於擦除操作，同一組wordline上的所有string是一起進行的，它們組成了一個block。如上圖，有兩組wordline，WL0[63:0]和WL1[63:0]，對應的分別是block0，block1。
Floorplan
Nand Flash 芯片主要由array構成，同時需要外圍電路來實現寫讀擦除功能。
Array一般分爲若干個Plane，每個Plane都有獨立的sense amplifier和cache，所以可以同時進行操作。wordline沿水平方向，bitline沿垂直方向，所有的bitline都連接到了sense amplifier上。Row Decoder在兩個Plane之間。Row Decoder負責給被選中的string對應的各個wordline上加上合適的偏置。sense amplifier則將電流信號轉換爲數字量。
外圍電路包括charge pumps（電荷泵），voltage regulators（電壓調節器），及邏輯電路等。
PAD連接到芯片外部。
參考
Inside NAND Flash Memories