nand flash cell使用一種特殊的場效應管，結構如下圖所示。control gate是控制柵極，即一般意義上的柵極；相對於普通場效應管增加了floating gate，即浮柵結構，與外界沒有電氣連接，被包裹在二氧化硅介質層中，是浮空的。
浮柵可以捕捉電子並儲存，並且由於沒有對外的迴路，即使掉電之後，電子也不會流失。而浮柵結構中存儲的電子的量，可以改變場效應管的導通電壓，即Vth。不同的Vth可以代表不同的狀態，實現了信息的存儲。
參考
Inside NAND Flash Memories