磁性隨機存儲器(MRAM)和集成磁(Integrated Magnetic)產品的領導廠商everspin公司16Mb MRAM，進一步強化了該公司在MRAM領域的領導地位。現在所有需要無電數據保持以及SRAM性能的應用都可使用具有非揮發性、高性能、以及高可靠性優勢的MRAM技術。
MR4A16B是一款3.3V、並行I/O非揮發RAM，其超快的存取週期僅爲35ns，並允許無限制的讀/寫循環。在每次寫入後，資料能持續保存超過20年。此外與其它存儲器不同，MRAM還可免除因宇宙射線所產生的軟錯誤率(SER,softerrorrate)。這款16Mb MRAM由位寬爲16的1048576個字組成。引腳和功能可與異步SRAM兼容。MR4A16B目標應用爲工業自動化、機器人、網絡和數據儲存、多功能打印機、以及其它許多傳統受限於需採用SRAM設計的系統。
MR4A16B提供小尺寸48引腳球柵陣列(BGA)封裝和54引腳的薄形小尺寸(TSOPII)封裝兩種形式。這些封裝均能與相似的低功率SRAM產品和其它非揮發RAM產品兼容。
16Mb MRAM系列包括商業級(0℃至+70℃)和工業級(-40℃至+85℃)兩種溫度範圍。價格諮詢請聯繫Everspin銷售部和代理商。
Everspin的mram芯片技術是具備高可靠性、快速讀/寫、即時開啓、非揮發性、和無限次擦除等特性。加入新的16Mb MRAM成員後，現在Everspin的產品組合包括提供BGA和TSOP兩種可選封裝、容量從256Kb到16Mb的8位和16位並行I/O產品，以及採用DFN封裝、容量從256Kb到1Mb的串行I/O產品。