用Everspin的MR2A16Axxx35 MRAM替換賽普拉斯CY14B104NA-BA/ZS45XI nvSRAM
用MRAM替換nvSRAM的一般注意事項
每次使用MRAM進行寫操作都會立即保持至少20年的非易失性。沒有數據從易失性存儲單元傳輸到非易失性存儲單元，也沒有外部電容器或備用電池。消除了外部組件，高度可靠的數據保留以及35ns SRAM兼容的讀/寫訪問時間，使Everspin MRAM成爲替代Cypress CY14B104NA-BA / ZS45XI nvSRAM的可行選擇，而不會影響系統性能。
EVERSPIN內存
Everspin是商業上可行的MRAM技術的全球領導者，Everspin MRAM產品出現在數百個需要高速，可靠，非易失性存儲器的應用中。
MR2A16A與CY14B104NA的比較
Everspin MRAM解決方案提供：
•始終非易失。沒有不可靠的電容器相關備用週期
•不需要Vcap或Vbatt
•立即斷電（<1ns），無數據丟失
•沒有複雜的軟件存儲/調用例程
•快速啓動時間（2ms和20ms）
•無限的讀寫週期-無磨損問題
•20年數據保留，無循環依賴
•更少的組件意味着更小的設計尺寸和更低的BOM成本
•直接替代賽普拉斯NV-SRAM
兼容性
Everspin MR2A16AxYS35（44-TSOP2）和MR2A16AxMA35（FBGA）存儲器的引腳，時序和封裝分別與CYPRESS CY14B104NA-ZS和CY14B104NABA nvSRAM兼容。
時序兼容性
Everspin MRAM和nvSRAM都具有標準的兼容異步SRAM時序。但是MRAM即使在斷電後無限制的時間和整個溫度循環中也可以保留數據。 MRAM具有35 ns的讀/寫週期時間，與類似的nvSRAM速度等級選項兼容。
請務必注意，Everspin MR2A16Axxx器件至少需要12ns的保持時間，從寫使能（和芯片使能）高到地址無效。大多數微處理器可以容納這個保持時間。