驅動篇 -- BJT晶體管應用

驅動篇 – BJT晶體管應用
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一、原理介紹
晶體三極管中有兩種帶有不同極性電荷的載流子參與導電,故稱之爲雙極性晶體管(BJT),又稱半導體三極管。
以NPN爲例進行說明:
在這裏插入圖片描述
1、截止區。其特徵是發射結電壓小於開啓電壓且集電結反向偏置,對於共射電路,Ube≤Uon且Uce>Bbe,此時,Ib=0,Ic≈0;
2、飽和區。其特徵是發射結電壓大於開啓電壓且集電結正向偏置,對於共射電路,Ube>Uon且Uce<Bbe,此時,隨着Ib的增大,Ic增大不多或基本不變;
3、放大區。其特徵是發射結電壓大於開啓電壓且集電結反向偏置,對於共射電路,Ube>Uon且Uce≥Ube,此時,Ic=βIb。

二、應用說明
實際應用時,晶體管常作開關使用,放大電路使用集成電路。
此時,晶體管工作在截止區與飽和區。
截止區,Ic≈0,此時,P=IcUce很小;
飽和區,Uce深度飽和電壓很小,P=Ic
Uce相對也很小。

三、項目實戰
BJT晶體管是流控型器件,小電流控制大電流,與MOS管不同的是,晶體管的驅動電流Ib很小,對驅動源的要求很低,通常,單片機的IO口可以直接驅動。
BJT晶體管工作在飽和區時,儘管Uce很小,如果Ic很大,發熱還是蠻大,所以,常用作小功率器件驅動與大功率MOS管的前級驅動。
1、驅動蜂鳴器
在這裏插入圖片描述
說明:BUZ爲高電平,蜂鳴器工作。

2、與PMOS組成電源開關
在這裏插入圖片描述
3、圖騰柱驅動電路
在這裏插入圖片描述
工作說明:
1、PWM爲高電平,Q4導通,Q3截止,U8的寄生電容Cgs通過Q2與R6放電,U8關閉;
2、PWM爲低電平,Q4截止,Q2截止,12V電壓通過Q3給U8的寄生電容Cgs充電,U8導通;
3、R3爲限流電阻,避免Cgs的充放電電流過大;
4、R6的作用:Cgs放電時,通過Q2與放電,只能放到0.7V左右,加上R6,就可以放到0V,確保關閉MOS;
5、此電路可以用於有刷直流電機的PWM調速;

三、小結
BJT晶體管是驅動電路常用的開關型器件,應用時需要讓晶體管工作在截止與深度飽和區。
BJT晶體管涉及的知識點很多,本文只是簡要的介紹了下,僅僅起到拋磚引玉的作用,日後設計過程中,需要不斷的總結經驗,溝通交流,以達到真正的理解,靈活運用。

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作者:劉傑,軟硬件技術10年,全職提供技術開發與技術服務、生產支持等。

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