由於內存條種類繁多，參數多樣，很多小白DIY電腦的，會發現購買內存條是件頭疼的事。大家對內存容量以及內存頻率關注較多，而對內存時序卻關注的很少，其實內存時序也是內存的參數之一，內存時序究竟有多重要呢？
內存時序是描述同步動態隨機存取存儲器（SDRAM）性能的四個參數：CL、TRCD、TRP和TRAS，單位爲時鐘週期。它們通常被寫爲四個用破折號分隔開的數字，如16-18-18-36。宏旺半導體瞭解到，第四個參數經常被省略，而有時還會加入第五個參數：Command rate（命令速率），通常爲2T或1T，也寫作2N、1N。
CL對內存性能的影響是最明顯的，所以很多產品都會把內存CL值標在產品名上，而後面的三個數字都是最小週期數。CL的英文全稱是CAS Latency，意思就是CAS的延遲時間，從中文意思中可以看出來這個數字越小延遲也就越小，一般DDR4的CL值在14-16就是一個不錯的數值了，不少低延遲高超頻能力的內存條還會將CL值壓縮到11，這樣的內存條延遲會更低，從而獲得同頻率下更好的性能。
內存時序參數影響隨機存儲存儲器速度的延遲時間，較低的數字通常意味着更快的性能，所以在同代同頻率的情況下，內存時序越小越好，一般情況下大家只需要看內存時序中的第一個數字，也就是CL值，數字越小越好。
宏旺半導體舉個例子，內存的時序就是我們這個倉庫的物流人員找到貨物，並把貨物裝上車的時間，一般來說，貨車的載重越大（內存條的頻率越高），物流人員找到這些貨物和裝車所耗費的時間也就越長，所以如果是相同頻率的內存條，時序CL值是越小越好（表示物流人員工作效率高）。目前普通的DDR4內存，主流頻率爲2400MHz，時序是CL15-17數值左右。
那麼，瞭解了內存時序的參數以後，究竟該如何去選擇內存條呢？其實在選擇內存的時候，內存時序並不是放在第一位去考慮的。而是先看容量，再看頻率，最後再去對比內存時序。
如果內存容量，頻率都相同的情況下，時序自然是越低越好。不過內存時序對於內存性能的影響非常小，除了跑分軟件會體現出一點差異，在正常使用電腦的時候你根本感覺不出來的，與其在內存時序上糾結，還不如選個靠譜的品牌更爲穩妥。
