MR20H40CDF是Everspin 所生產的由4194,304位磁阻隨機存取存儲器（MRAM）設備系列，組織爲524,288個8位字。對於必須使用少量I/O引腳快速存儲和檢索數據和程序的應用程序，它們是理想的內存解決方案。它們具有串行EEPROM和串行閃存兼容的讀/寫時序，沒有寫延遲，並且讀/寫壽命不受限制。與其他串行存儲器不同，使用MR2xH40系列，讀取和寫入都可以在內存中隨機發生，而寫入之間沒有延遲。
MR20H40CDF系列可在各種溫度範圍內提供高度可靠的數據存儲。英尚微提供的MR20H40CDF MRAM存儲芯片（50MHz）提供了（-40°至+85°C）的工業溫度範圍。MR20H40CDF（40MHz）具有工業（-40°至+85°C），擴展（-40至105°C）和AEC-Q1001級（-40°C至+125°C）工作溫度範圍選項。兩者均採用5x6mm，8引腳DFN封裝。該引腳與串行SRAM，EEPROM，閃存和FeRAM產品兼容。
產品圖片
產品特徵
沒有寫入延遲
•無限的寫續航力
•數據保留超過20年
•斷電時自動數據保護
•快速，簡單的SPI接口，MR20H40的時鐘速率高達50 MHz。
•3.0至3.6伏電源範圍
•低電流睡眠模式
•工業（-40至85°C），擴展（-40至105°C）和AEC-Q100 1級（-40至125°C）溫度範圍選項。
•提供符合RoHS要求的8引腳DFN或8引腳DFN小標誌。
•直接替換串行EEPROM，閃存和FeRAM
•MSL 3級
DFN封裝引腳圖（頂視圖）