原创 Everspin MRAM技術的可靠性

與大多數其他半導體存儲技術不同，數據存儲爲磁性狀態而不是電荷，並通過測量電阻來感測而不干擾磁性狀態。使用磁性狀態進行存儲有兩個主要好處。首先磁極化不會像電荷一樣隨時間泄漏，因此即使關閉電源，信息也會被存儲。其次在兩種狀態之間切換磁極化不涉及

2020-06-04 13:02:41

原创 低電壓SRAM的重要性

隨着SOC 技術的發展，CMOS 工藝尺寸不斷縮小，芯片集成度越來越高，使得單位面積芯片的功耗不斷提高。近年來，便攜式電子產品如智能手機、平板電腦、數碼相機、智能手環發展迅猛，而對於使用電池的便攜式電子產品，芯片的功耗會直接影響到電池的使用

2020-06-04 13:02:41 4

原创 低功耗SRAM主要三部分功耗來源

隨着SOC 技術的迅猛發展，由電池供電的便攜式電子產品得到了廣泛應用，如智能手機、運動手環、ipad、部分汽車電子等。近年來半導體工藝已進入深亞微米甚至納米階段，工藝尺寸不斷縮小，但是由於電池技術的緩慢發展以及芯片散熱技術的不完善等導致功耗

2020-05-31 02:18:38

原创 SRAM市場動向

當今世界環境保護已蔚然成風，力求節約能源，因此強烈要求電子系統低功耗化和低電壓化。而且由於製造SRAM的半導體工藝精細化，SRAM要求低電壓供電。因而近年來研究低電壓供電技術活動十分活躍。在高速SRAM裏，既要求高速度又要求低功耗，這是互相

2020-05-31 02:18:38

原创 SRAM電路工作原理

近年來，片上存儲器發展迅速，根據國際半導體技術路線圖（ITRS），隨着超深亞微米制造工藝的成熟和納米工藝的發展，晶體管特徵尺寸進一步縮小，半導體存儲器在片上存儲器上所佔的面積比例也越來越高。接下來宇芯電子介紹SRAM的工作原理以及工作過程。

2020-05-31 02:18:38 1

原创 SRAM市場與技術

靜態隨機存取存儲器SRAM由於是利用觸發器電路作爲存儲單元，只要不切斷其供電電源，它就能永遠保存所寄存的數據信息。因此. SRAM與通常的動態隨機存取存儲器DRAM 不同.不需要刷新操作.控制相對簡單許多。 鑑於SRAM這一獨列的特點， 它

2020-05-26 15:14:42 1

原创 FRAM鐵電存儲器在汽車應用方面的優勢

相比於其他市場，汽車市場更爲關注技術成熟度。目前FRAM在汽車行業的銷售數量已超過8億臺，技術已相當成熟，汽車行業的客戶完全可以對此放心無憂 爲什麼要在汽車中使用“FRAM”? 與EEPROM和FLASH非易失性內存相比，FRAM在EDR應

2020-05-23 15:01:15

原创 關於如何提高SRAM存儲器的新方法

SRAM是當今處理器上最普遍的內存。當芯片製造商宣佈他們已經成功地將更多的電路封裝到芯片上時，通常是較小的晶體管引起了人們的注意。但是連接晶體管形成電路的互連也必須收縮。IMEC的研究人員提出了一個方案，可以使SRAM保持良好的性能，並最終

2020-05-13 14:49:36

原创 SRAM中靈敏放大器的原理

SRAM中靈敏放大器的原理 在SRAM 中，讀操作開始前，先要對兩條位線進行預充電，將兩條位線初始化爲相同的高電平。預充完後，字線選中的存儲單元對位線進行充放電。存儲單元尺寸很小，驅動能力很弱，且位線負載相對較大，所以兩條位線輸出的是都是絕

2020-05-10 14:44:59 33

原创 STM32單片機擴展外部SRAM

當我們使用的電腦運行過程中比較卡的時候，可以通過給電腦加裝內存條來改善電腦的性能。我們可以給單片機外加和內存條效果一樣的SRAM芯片來提升單片機的性能。下面以STM32單片機來講解一下來擴展外部SRAM。 原理：給STM32芯片擴展內存與給

2020-05-08 14:48:56 1

原创 SRAM存儲單元讀操作分析

一個典型的SRAM基本結構中，每個存儲單元都通過字線和位線與它所在的行和列中的其它存儲單元有電學連接關係。水平方向的連線把所有的存儲單元連成一行構成字線，而垂直方向的連線是數據輸入和數據輸出存儲單元的通路，稱爲位線。每一個存儲單元都能通過選

2020-04-30 14:59:57 1

原创 Everspin MRAM串行SPI MR25H256ACDF

總覽 MR25H256是一個串行MRAM，具有使用串行外圍設備接口的芯片選擇（CS），串行輸入（SI），串行輸出（SO）和串行時鐘（SCK）的四針接口在邏輯上將存儲器陣列組織爲32Kx8（ SPI）總線。宇芯串行MRAM實現了當今SPI E

2020-04-27 14:53:49

原创 靈動微MCU 32位防疫產品輸液泵應用解決方案

MM32F103使用高性能的 ARM® Cortex®-M3 爲內核的 32 位微控制器，典型工作頻率可達144MHZ，內置高速存儲器，豐富的增強型 I/O 端口和外設連接到外部總線。本產品系列工作電壓爲2.0V∼5.5V，靈動微MCU工作

2020-04-22 14:33:57

原创 研究人員開發一種新的MRAM單元結構

MRAM存儲芯片可以抵抗高輻射，可以在極端溫度條件下運行，並且可以防篡改。這使得MRAM適用於汽車和工業，軍事及太空應用，這些對於MRAM存儲芯片開發人員來說是重要的部分。 東京工業大學的研究人員開發了一種新的MRAM單元結構，該結構依賴於

2020-04-20 15:45:30

原创 選擇MRAM的理由

MRAM具有成爲通用存儲器的潛力-能夠將存儲存儲器的密度與SRAM的速度結合在一起，同時始終保持非易失性和高能效。MRAM可以抵抗高輻射，可以在極端溫度條件下運行，並且可以防篡改。MRAM技術仍遠未實現其潛力，但截至2020年初，市場上有從

2020-04-10 15:16:52