當今世界環境保護已蔚然成風，力求節約能源，因此強烈要求電子系統低功耗化和低電壓化。而且由於製造SRAM的半導體工藝精細化，SRAM要求低電壓供電。因而近年來研究低電壓供電技術活動十分活躍。在高速SRAM裏，既要求高速度又要求低功耗，這是互相矛盾的兩種要求。
SRAM市場動向
●低功耗sram
移動電話和尋呼機等便攜電子產品市場裏，要求機器小型、輕便和由電池長時間供電;因此，便攜電子產品也要求SRAM器件實現低電壓供電例如要求供電電壓低到2.5V乃至1.8V;同時要求SRAM的等待狀態電流值和保持存儲的數據所必要的電流值都應該大幅度縮小，而且封裝結構必須小型化，例如要採用芯片規模(尺寸)封裝CSP 。特別值得提及的是，面向移動電話的SRAM, 要求兼顧SRAM和快閃存儲器芯片，放在同一封裝結構裏如像利用迭層封裝。
●高速sram
在檢測、測量試驗機器、交換機和基地站等測試和通信市場裏,對於高速SRAM器件需求強烈:例如，要求高速SRAM採用5V/3.3V供電，存取速度爲10~15ns,存儲容量爲1Mb ~4Mb。
●同步SRAM
作爲PC機二級緩衝存儲器雖然用同步SRAM 器件,但是現在的微處理器芯片裏通常都內置有同步SRAM.因此，作爲PC機一級緩衝存儲器對幹SRAM的需求量.今後將愈來愈少。與此相反，上程工作站EWS 和服務器要求外接的二級緩衝存儲器,卻愈來愈需要大量的高速同步SRAM器件。另外在網絡應用領域裏，現已出現一種具備“零總線交換”ZBTM新功能的同步SRAM產品.