近年來，片上存儲器發展迅速，根據國際半導體技術路線圖（ITRS），隨着超深亞微米制造工藝的成熟和納米工藝的發展，晶體管特徵尺寸進一步縮小，半導體存儲器在片上存儲器上所佔的面積比例也越來越高。接下來宇芯電子介紹SRAM的工作原理以及工作過程。
SRAM 寫操作。
寫操作就是把數據寫入指定的SRAM 存儲單元中。首先片選信號CEBB 置爲低電平，讀控制電路開始運作。10 位寫地址線AB0-AB9、16位數據輸入DI0-DI15 準備就緒，地址信號有效，系統開始譯碼、選擇要寫入的存儲單元以及需要寫入的數據。當時鍾信號CKB 高電平到來時，CKB 信號控制譯碼電路完成最後的譯碼，行譯碼電路選中的那一行存儲單元寫字線WWL 將會打開；16 位數據經過輸入輸出電路中的寫電路傳遞到寫字線BL 上，從而把數據寫入選中的存儲單元。
SRAM 讀操作。
讀操作即是把SRAM 陣列中指定單元中存儲的數據讀取出來。片選信號CEBA 置爲低電平，讀控制電路運作。與寫操作相同，10 位讀地址線AA0-AA9 提前準備就緒，經過譯碼器選擇指定的存儲單元；同時讀位線RBL 被預充電到高電平。預充電一段時間後時鐘信號CKA 到來，譯碼完成，打開指定存儲單元的讀字線RWL，對存儲單元進行讀操作。此時靈敏放大器被激活，讀位線RBL 上的電壓變化會傳遞到靈敏放大器中，靈敏放大器可以根據RBL的電壓變化情況把結果送到輸出電路，輸出的二進制序列從端口DO0-DO15 讀出，從而讀出特定存儲單元的數據。