與大多數其他半導體存儲技術不同，數據存儲爲磁性狀態而不是電荷，並通過測量電阻來感測而不干擾磁性狀態。使用磁性狀態進行存儲有兩個主要好處。首先磁極化不會像電荷一樣隨時間泄漏，因此即使關閉電源，信息也會被存儲。其次在兩種狀態之間切換磁極化不涉及電子或原子的實際運動，因此不存在已知的磨損機制。
Everspin MRAM器件旨在結合非易失性存儲器和RAM的最佳功能，爲越來越多的電子系統提供“即時接通”功能和斷電保護。
Everspin MRAM技術產品組合
Everspin切換MRAM技術
Everspin MRAM與標準CMOS處理集成Everspin MRAM基於與CMOS處理集成的磁存儲元件。每個存儲元件都將一個磁性隧道結（MTJ）器件用於存儲單元。
磁性隧道結存儲元件
磁性隧道結（MTJ）存儲元件由固定磁性層，薄介電隧道勢壘和自由磁性層組成。當對MTJ施加偏壓時，被磁性層自旋極化的電子將通過稱爲隧穿的過程穿過介質阻擋層。
當自由層的磁矩平行於固定層時，MTJ器件具有低電阻，而當自由層磁矩與固定層矩反平行時，MTJ器件具有高電阻。電阻隨設備磁性狀態的變化是一種被稱爲磁阻的效應，因此被稱爲“磁阻” RAM。