汽車動力總成模塊使用閃存技術在斷電（保持活動內存（KAM）和非易失性內存（NVM））期間保留重要的控制和診斷信息。複雜的軟件必須設計爲最大化這些設備的生命週期，因爲它們的寫入週期數量有限。
MRAM（磁阻式隨機存取存儲器）具有消除這種複雜性的潛力，並使KAM和NVM的管理過程更輕鬆，更強大。板載MRAM器件與下一代動力總成微處理器一起使用。創建了集成了最新動力總成微控制器，everspin MRAM MRA16A（2個x16位）和MR2xH50（@ SCK 40MHz）芯片的原型板。
汽車工業正在引入新的非易失性存儲器，例如mram芯片，相控存儲器（PCRAM）和RRAM。這些新的存儲器在汽車改變狀態條件期間提供了存儲和檢索數據方面的改進。動力總成控制研究與發展（PCRA）團隊與Everspin和微控制器供應商合作，使用下一代動力總成控制器快速構建外部MRAM的原型。
非易失性存儲器
當前，引擎控制單元（ECU）使用非易失性存儲器（NOR FLASH）來存儲日誌記錄數據（DFLASH）。數據存儲在DFLASH中，並在點火鑰匙關閉（或稱爲KO（鑰匙關閉））後記錄。該數據用於完善用於控制傳動系統的算法的係數，並確定傳感器輸入是否已超過預定極限。必須存儲非易失性數據（例如，在發動機和車輛組裝期間從條形碼讀取中捕獲的單個噴油器微調數據，變速箱電磁閥特性數據以及永久性P代碼等）。 KAM類型的數據（例如自適應表）需要在密鑰循環後保留，但是如果丟失，可以重新使用。
DFLASH和當前發行的限制銀行掉期操作是當前DFLASH的限制。將非易失性數據寫入DFLASH需要花費幾秒鐘的時間。當發生存儲區交換時，D-Flash的未使用存儲區將被刪除，在已刪除存儲區上建立文件系統，最後將搜索舊存儲區以找到最新數據，然後將其複製到新存儲區中。在發生大多數問題的銀行掉期過程中，密鑰有足夠的時間重新出現。在不同的應用程序版本和車輛類型之間，以這種方式支持的NVRAM數據結構的數量和大小可能會有所不同。更新請求的頻率是可變的，某些情況是基於特定事件的發生（例如，車輛配置信息已更改或需要存儲新的診斷事件）。