everspin非易失性存儲器中MRAM的潛在用途
與電子電荷存儲的數據可能會因使用情況，時間和溫度而泄漏和擊穿的相反，MRAM（磁性隨機存取存儲器）使用1個晶體管–1個磁性隧道結（MTJ）體系結構作爲MTJ的磁態作爲數據存儲元素。由於MRAM將數據存儲爲磁性狀態，因此與現有的非易失性存儲器相比，它具有許多重要的優勢。與其他非易失性解決方案相比，MRAM的優勢在於：
•像不揮發一樣閃爍
•無編程/擦除週期（最快的寫入週期）
•快速的SRAM接口
•對稱的讀/寫週期
•字節尋址能力
•並行（x16）接口的35ns/2Bytes
•帶有串行接口的0.4us/2bytes（使用工作在40MHz的SPI接口）
•無限耐力（無限使用）
•長期保留數據（高溫下超過20年）
帶有動力總成微控制器演示的MRAM
團隊（以及迄今爲止的行業）面臨的挑戰之一是，這些新的內存技術（例如mram（目前已嵌入到某些處理器中））尚未嵌入動力總成芯片中。因此，在此演示中，團隊採用了一種離散的“處理器外”解決方案。在此演示中，團隊設計了MRAM評估板以與Powertrain微控制器母板接口。開發了新的低級驅動器（LLD），以取代動力總成芯片供應商提供的LLD。在本演示中，新修訂的LLD用於驗證串行/並行MRAM協議，不同模式下的讀/寫操作以及時序週期要求（通過在具有各種時鐘頻率的原型板上運行應用程序）。