everspin提供8/16-bit的DDR4-1333MT/s（667MHz）接口，但與較舊的基於DDR3的MRAM組件一樣，時序上的差異使得其難以成爲DRAM（動態隨機存取器）的直接替代品。
最新的1Gb容量STT-MRAM擴大了MRAM的吸引力，但Everspin仍需努力追趕DRAM的存儲密度。
低容量的特性，使得MRAM組件更適用於嵌入式系統，其中SoC和ASIC可更容易地設計兼容的DDR控制器。
目前行業內已通過MRAM來部分替代DRAM，比如IBM就在去年推出了Flash Core模塊，以及希捷在FMS2017上展示的原型。
當然我們並不指望mram專用存儲設備可以迅速在市面上普及（SSD或NVDIMM）。畢竟市面上的混合型SSD，仍依賴於NAND閃存作爲主要存儲介質。
作爲與格羅方德合作生產的第二款分立型MRAM器件，他們還在GloFo的22nmFD-SOI工藝路線圖中嵌入了MRAM。
鑑於該工廠取消了7nm和更低製程的計劃，包括嵌入式內存在內的特殊工藝對其未來顯然至關重要。