MRAM具有成爲通用存儲器的潛力-能夠將存儲存儲器的密度與SRAM的速度結合在一起，同時始終保持非易失性和高能效。MRAM可以抵抗高輻射，可以在極端溫度條件下運行，並且可以防篡改。MRAM技術仍遠未實現其潛力，但截至2020年初，市場上有從很小的MRAM到1Gb芯片的MRAM芯片，並且公司正在將該技術用於許多應用。
雖然有了這麼多的論文和研究成果，但是目前並沒有MRAM實際產品製造出來。
另一個有趣的問題就是MRAM保存數據的穩定性，熱穩定性毫無疑問會影響數據的保留期限，溫度越高就越不穩定，這就需要平衡數據保存的期限。
一般的半導體數據保存期限是10年，爲此需要1bit或者2bit的ECC校驗單元，而sram緩存上已經集成了ECC功能，從這點上來看沒有增加成本，是一種合適的選擇。
Intel指出做緩存的情況下，半導體保存數據的期限遠遠沒必要達到10年這麼高，可以適當降低熱穩定性要求，這一點是非常重要的，甚至一個月的時間都太長了，能保持數據2周就可以了。
考慮到MRAM寫入速度較低的缺點，降低熱穩定性要求其實是好事一件，因爲它可能改變MRAM的存儲單元，帶來提高數據寫入速度的可能，使得MRAM更加適合緩存的要求。