隨着SOC 技術的迅猛發展，由電池供電的便攜式電子產品得到了廣泛應用，如智能手機、運動手環、ipad、部分汽車電子等。近年來半導體工藝已進入深亞微米甚至納米階段，工藝尺寸不斷縮小，但是由於電池技術的緩慢發展以及芯片散熱技術的不完善等導致功耗成爲SOC 急需要解決的重要問題。而靜態隨機存儲器SRAM 是SOC 的重要組成部分，且其佔芯片總面積的比例越來越大。而芯片功耗大小直接影響到電池的使用壽命。
低功耗SRAM的功耗來源主要包括三部分：動態功耗、靜態功耗、短路功耗，功耗與電源電壓有着直接的關係，動態功耗與電源電壓成二次方關係，靜態功耗和短路功耗與電源電壓成一次方關係，因此降低電源電壓能夠給SRAM 帶來大幅度的功耗降低。由於傳統的6管存儲單元在電源電壓降低時會出現可靠性變差、寫能力不足、甚至讀寫錯誤的缺陷，新型10 管存儲單元，獨特的電路結構決定了它可以工作在低電源電壓下。爲了說明存儲單元的性能優越