ISSI IS62WV51216ALL/IS62WV51216BLL是高速8M位靜態RAM，組織爲512K字乘16位。它是使用ISSI的高性能CMOS技術製造的。這種高度可靠的工藝加上創新的電路設計技術，可生產出高性能和低功耗的設備。
當CS1爲HIGH（取消選擇）或CS2爲LOW（取消選擇）或CS1爲LOW，CS2爲HIGH且LB和UB均爲HIGH時，器件將處於待機模式，在該模式下，可通過CMOS輸入降低功耗水平。
使用芯片使能和輸出使能輸入可輕鬆擴展存儲器。激活的LOW Write Enable（WE）控制存儲器的寫入和讀取。數據字節允許訪問高字節（UB）和低字節（LB）。
IS62WV51216ALL和IS62WV51216BLL封裝在JEDEC標準的48引腳迷你BGA（7.2mmx8.7mm）和44引腳TSOP（TYPE II）中。
SRAM芯片型號IS62WV51216，管腳圖如下：
IS62WV51216的管腳總的來說大致分爲：電源線、地線、地址線、數據線、片選線、寫使能端、讀使能端和數據掩碼信號線。
特徵
•高速訪問時間：45ns，55ns
•CMOS低功耗運行
–36mW（典型值）運行
–12µW（典型值）CMOS待機
•TTL兼容接口級別
•單電源
–1.65V--2.2V VDD（62WV51216ALL）
–2.5V--3.6V VDD（62WV51216BLL）
•完全靜態操作：無時鐘或刷新需要
•三態輸出
•高低字節數據控制
•可提供工業溫度
•無鉛