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一、MOSFET介紹
今天和同事討論起了公司用到的一個MOS管開關電路，針對其中的幾個關鍵點做了比較系統的分析總結。
MOS管主要是由Metal（金屬）、Oxide（氧化物）、Semiconductor（半導體）通過特殊工藝製成
和三極管（電流控制電流型器件）相比，MOS管（電壓控制電流型器件）具有柵極驅動基本不需要電流，損耗小、噪聲低、抗輻射能力強、輸入阻抗高、結構簡單、便於集成和熱穩定性好等優點
MOSFET可以被製造成P溝道和N溝道兩大類，每一類又分爲增強型或者耗盡型，所以MOSFET有四種：N溝道增強型MOSFET、N溝道耗盡型MOSFET、P溝道增強型MOSFET、P溝道耗盡型MOSFET
在柵-源電壓uGS=0時導電溝道不存在且漏極電流爲0的管子均爲增強型，在柵-源電壓uGS=0時導電溝道已存在且漏極電流不爲0的管子均爲耗盡型
放幾張來自模擬電子線路書上面的圖參考學習：
二、MOS管開關電路
如下爲一張典型的N溝道增強型MOS管開關電路原理圖：
D1作用：
續流二極管
R1作用：
1、限流電阻，減小瞬間電流值：MOS管屬於壓控型器件，兩兩引腳之間存在寄生電容（Cgs、Cgd、Cds）:
規格書中一般會標註Ciss、Coss、Crss：
Ciss = Cgs + Cgd
Coss = Cds + Cgd
Crss = Cgd
如圖Ciss=587pF，假設VGs=24V，dt=Tr（上升時間）=20ns，則MOS管在開關時的瞬間電流I = Ciss * dVgs / dt = 0.7A
當在柵極串接一個電阻（幾Ω~上千Ω）時，會與Ciss形成RC充放電迴路，從而減小瞬間電流值
2、調節MOS管的通斷速度，有利於控制EMI：同時，加上R1後，MOS管通斷切換時間會變慢，有利於控制EMI；但是如果串接的電阻太大，會導致柵極達到導通電壓的時間變長，也就是說MOS管處在半導通狀態的時間太長，此時MOS管內阻較大，Rds->Rdson的時間比較長，Rds會消耗大量的功率，可能導致MOS管因發熱而損壞
3、抑制柵極振盪：
MOS管接入電路後，引入引線寄生電感，會與寄生電容形成LC振盪電路，對於方波這種開關波形信號來說包含很多頻率成分：
那麼就可能在某個諧振頻率相同或者相近時形成串聯諧振電路，串接一個電阻後會減小振盪電路的Q值，從而使振盪快速衰減
R2作用：
1、G極對地電阻（一般5KΩ~數十KΩ），通過下拉爲MOS管提供一個固定偏置，避免當IC驅動口處於高阻態的情況下G極受到干擾信號使MOS管意外導通
2、泄放電阻，通過這個電阻泄放掉G-S之間的少量靜電（G-S之間的電阻很大很大，少量的靜電就能通過G-S之間的等效電容產生很高的電壓，此時由於RGS很大，感應電荷難以釋放，以致於高壓將MOS管很薄的絕緣層擊穿，損壞MOS管）從而保護MOS管，如果沒有這個電阻，MOS管容易受到外界干擾意外導通燒壞，此外在MOS管工作不斷開通關斷的時候對寄生電容進行適當的放電以保護MOS管