原创 靈動微電子量身定製IoT專用MCU
世界正在快速進入萬物互聯的IoT時代，智能手機、智慧家庭、智能網聯汽車、智慧城市、工業物聯網、可穿戴設備等已成爲公衆耳熟能詳的詞彙。儘管IoT的具體應用五花八門，包羅萬象，但對於IoT邊側設備的要求卻呈現出相當的一致性，即：低功耗、更強的計
2020-03-26 14:01:18
原创 5G助推NAND FLASH發展
據分析機構最新數據，因數據中心對市場產生的帶動作用影響，2019年第四季度的NAND Flash的總出貨量季增近10%，市場逐漸出現供不應求現象。經歷了一段降價期，NAND Flash存儲器終於迎來一小段上升期。隨着5G通信和AI技術的發展
2020-03-25 13:57:01
原创 everspin生態系統和製造工藝創新
Everspin與GlobalFoundries有着悠久的合作歷史，而且十多年來，通過不斷改進，對其工廠進行微調優化。能迅速積累並將這些經驗傳授給GlobalFoundries。Everspin表示會繼續發展生態系統，來支持STT市場，並提
2020-03-24 13:53:49
原创 SRAM芯片is62wv51216
ISSI IS62WV51216ALL/IS62WV51216BLL是高速8M位靜態RAM，組織爲512K字乘16位。它是使用ISSI的高性能CMOS技術製造的。這種高度可靠的工藝加上創新的電路設計技術，可生產出高性能和低功耗的設備。 當C
2020-03-18 14:01:37
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原创 Flash存儲器行情
據多名從業者反映，目前存儲芯片交貨的幾乎都是年前的訂單，因爲疫情影響沒有新的訂單需求。對於行業內的行情，業者多持看好的態度，相信今年的訂單需求會隨着疫情的好轉慢慢轉爲強勁，下半年也可能出現供不應求的情況。 NAND Flash：因爲SSD的
2020-03-12 13:58:56
原创 企業SSD中everspin的DDR3 STT-MRAM
隨着企業固態驅動器（SSD）在系統性能和更小的外形尺寸方面不斷前進，SSD解決方案提供商面臨着更大的挑戰。在提高密度及耐用性，性能和添加重要的新功能的同時，還需要繼續保護飛行中的數據免受電源故障的影響。 通過使用更多具有更快接口速度的閃存
2020-02-20 13:54:42
原创 stm32f103vct6外擴sram芯片
STM32F103是一款高性價比、多功能的單片機，配備常用的32位單片機片外資源，基於ARM Cortex-M3的32位處理器芯片，片內具有256KB FLASH，48KB RAM ( 片上集成12Bit A/D、D/A、PWM、CAN、U
2020-02-20 13:54:42
原创 基於NAND閃存的SSD解決方案的STT-MRAM
作爲克服現有基於NAND閃存的SSD的解決方案，everspin提供具有ST-DDR3和ST-DDR4接口的STT-MRAM，可通過提供高速非易失性存儲來提高SSD的系統性能和可靠性。機上數據。通過添加STT-MRAM來補充或替換SSD控制
2020-02-20 13:54:42
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原创 各大原廠看好MRAM發展
MRAM是一種以電阻爲存儲方式結合非易失性及隨機訪問兩種特性，可以兼做內存和硬盤的新型存儲介質。寫入速度可達NAND閃存的數千倍，此外，其製作工藝要求低，良品率高，可以很好的控制成本。在壽命方面，由於MRAM特殊的存儲方式，產品的壽命耐久性
2020-02-20 13:54:42
原创 Xilinx FPGA控制器的Everspin STT-DDR4設計指南
自旋轉移扭矩磁阻隨機存取存儲器（STT-MRAM）是一種持久性存儲技術，可利用各種工業標準接口提供了性能，持久性和耐用性。 Everspin推出了STT-MRAM產品，該產品利用稱爲JE-DDR4的JEDEC標準DDR4接口的變體，它包含了
2020-02-20 13:54:42
原创 SRAM靜態隨機存儲器芯片的讀寫週期
一、要保證正確地讀/寫，必須注意CPU時序與存儲器讀/寫週期的配合。一般SRAM存儲器芯片手冊都會給出芯片讀/寫週期的時序圖。 Intel 2114芯片的讀、寫週期時序如圖所示。二、 讀週期 SRAM靜態隨機存儲器芯片的讀週期 讀操作時，必
2020-02-20 13:54:42
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原创 Microchip SPI串行SRAM和NVSRAM器件
Microchip的SRAM和NVSRAM系列（SPI串行SRAM和NVSRAM設備）提供了一種輕鬆添加外部RAM的方式 特性低功耗CMOS技術：4μA最大待機電流 標準4引腳SPI接口：芯片選擇、數據輸入、數據輸出和時鐘 無限寫入存儲器、
2020-02-20 13:54:42
原创 everspin非易失性存儲器MR4A16B
磁性隨機存儲器(MRAM)和集成磁(Integrated Magnetic)產品的領導廠商everspin公司16Mb MRAM，進一步強化了該公司在MRAM領域的領導地位。現在所有需要無電數據保持以及SRAM性能的應用都可使用具有非揮發性
2020-02-20 13:54:42
原创 基於90nm CMOS技術的功能齊全的64Mb DDR3 STT-MRAM
自旋轉矩磁阻隨機存取存儲器（ST-MRAM）有望成爲一種快速，高密度的非易失性存儲器，可以增強各種應用程序的性能，特別是在用作數據存儲中的非易失性緩衝器時設備和系統。爲此，everspin的基於90nmCMOS技術的全功能64Mb DDR3
2020-02-20 13:54:42
原创 everspin最新1Gb容量擴大MRAM吸引力
everspin提供8/16-bit的DDR4-1333MT/s（667MHz）接口，但與較舊的基於DDR3的MRAM組件一樣，時序上的差異使得其難以成爲DRAM（動態隨機存取器）的直接替代品。 最新的1Gb容量STT-MRAM擴大了MRA
2020-02-20 13:54:42