使用STM32的SPI控制器，對外部的W25X16 FLASH（2M字節）芯片進行操作。以下爲邏輯分析儀抓取的時序。
以下是該FLASH芯片的命令表。
1、 1、讀取器件ID。
先拉低片選信號CS，再發送命令0XAB，再發送三個字節的dummy。讀取第四個字節數據，數據就是device ID。最後拉高CS，結束一次操作。
以下是發送命令0XAB放大的圖。可以看出CLK空閒狀態是高電平（CPOL = 1），偶數邊沿爲採樣時刻（CPHA = 1）。
2、 2、讀取jedec標準ID
先拉低片選信號CS，再發送命令0X9f，讀取三個數據。最後拉高CS，結束一次操作。
第一個數據：生產廠商
第二個數據：存儲器類型
第三個數據：容量
3、 3、 寫使能
Flash在寫數據，擦除，寫狀態寄存器之前，首先要打開寫使能。打開寫使能的方法也很簡單，發送命令0x06即可。
4、 4、 寫數據
拉低片選，發送命令0x02，表示寫操作。發送3個字節的地址。因爲選用的flash芯片大小爲2M，地址範圍爲0x00_0000 – 0x1f_ffff。所以需要24位表示地址。因此要發送3個字節來表徵寫入的地址。
三個地址發送完畢後，就開始發送要寫入的數據。
數據寫完畢後，拉高片選即可。
在寫數據完成後，要讀取flash芯片的狀態寄存器，判斷器件狀態。
讀取狀態寄存器，所用命令爲0x05，第二個SPI週期即爲讀取的狀態寄存器值，可以一直讀取該狀態寄存器的值。
當讀到狀態寄存器的值爲0x00後，表示器件完成寫操作。
5、 5、扇區擦除
使用命令0x20對扇區進行擦除。
擦除是從寫入扇區地址開始到扇區結束地址之間的內容擦除。即如果寫入擦除的地址是0x00_0010，那麼就會將0x00_0010 – 0x00_0FFF（一個扇區大小是4k）之間的內存區域擦除爲0xff。
6、
6、塊擦除
和扇區擦除一樣，只是發的命令爲0xd8，擦除的最大大小是64KB。
7、 7、芯片擦除
擦除整個芯片，發送命令0xc7。
8、 8、 讀數據
FLASH的讀數據有三種方式：
第一種是普通讀方式：
先拉低片選信號CS，再發送命令0X03，發送讀取數據的地址，3個字節。後面每個SPI週期，就是讀取的數據。
第二種是快速讀方式（fast read）：
先拉低片選信號CS，再發送命令0X0b，發送讀取數據的地址，3個字節。發送一個dummy的SPI週期，後面每個SPI週期，就是讀取的數據。
快速讀方式，要等待5個SPI週期後，纔開始讀取有效信息。而普通讀模式下，只需等待4個SPI週期後，就可以讀取有效信息了。
第三種是快速雙通道讀方式（fast read dual output）
拉低片選CS，發送命令0x3b，發送讀取數據的地址，3個字節。發送一個dummy的SPI週期，後面每個SPI週期，就是讀取的數據。
從時序圖。看出這種讀方式下，MOSI和MISO都參與了讀數據的傳輸。所以在這種模式下，一個SPI可以讀取兩個字節。
第一個字節 第二個字節
MISO (1D7, 1D5, 1D3, 1D2) (2D7, 2D5, 2D3, 2D2)
MOSI (1D6, 1D4, 1D2, 1D0) (2D6, 2D4, 2D2, 2D0)
下面通過波形圖比較一下三種讀取數據方式：
普通read讀取的波形圖。第一個有效數據在第5個SPI處，值爲0x69， 第二個有效數據在第6個SPI處，值爲0x20。
Fast read讀取的波形圖。第一個有效數據在第6個SPI處，值爲0x69，第二個有效數據在第7個SPI處，值爲0x20。
Fast read dual讀取的波形圖。MOSI和MISO同時參與數據的讀取。第一個有效數據和第二個有效數據在第6個SPI處。
MISO 0 1 1 0 0 1 0 0 ( 1D7, 1D5, 1D3, 1D1) ( 2D7, 2D5, 2D3, 2D1)
MOSI 1 0 0 1 0 0 0 0 （1D6, 1D4, 1D2, 1D0） （2D6, 2D4, 2D2, 2D0）
組合得到第一個數據 01 10 10 01 0x69
組合得到第二個數據 00 10 00 00 0x20
從抓取的波形圖，來學習SPI驅動外部的FLASH，是可以很直觀的看到數據傳輸的過程，從而對SPI協議及外部的FLASH驅動有更深的瞭解。
可以下載pdf，查看清晰波形圖片信息。