PN結
1、P型半導體和N型半導體都是可以導電的，如圖1、2所示。
圖（1）P型半導體 圖（2）N型半導體
P型半導體中空穴很多（大部分是摻雜的），所以空穴是P型半導體的多子，但也有少量的電子，這些電子是本徵半導體激發的，因此電子是P型半導體中的少子；
N型半導體中電子很多（大部分是摻雜的），所以電子是N型半導體的多子，但也有少量的空穴，這些空穴是本徵半導體激發的，因此空穴是N型半導體中的少子；
如果外界溫度升高時P型半導體和N型半導體內部的多子和少子都會增加，但是多子本來就很多，對總量影響較小；但對少子來說影響就不一樣了，如果原來就2個少子，增加了2個那麼就增加了1倍。因此溫度對少子影響很大。
2、如果把P型半導體和N型半導體放到一起會出現什麼呢？
圖（3）P型半導體和N型半導體放在一起的初始狀態
P型半導體的空穴很多，N型半導體的電子很多，因此空穴會向N區擴散，電子會向P區擴散。 電子擴散到P區與空穴複合後都消失了，空穴擴散到N區和電子複合後也都消失了 。
圖（4）擴散運動後P型半導體和N型半導體連接處的狀態
如圖4所示， P型半導體和N型半導體連接處產生了內電場，方向從右到左，這個電場阻礙擴散運動，也就是內電場阻值P區的空穴向N區擴散，也阻值了N區的電子向P區擴散。但是內電場會促進P區的空穴向N區漂移，N區的電子向P區漂移，當擴散運動和漂移運動達到動態平衡時，連接處就形成了空間電荷區，我們稱爲耗盡層。這樣PN接就形成了。
3、PN結的特點：
原來硅晶格導電很差，通過摻雜工藝，導電性能提高了，爲什麼讓N型和P型的組成PN結呢？這就要看看PN結的一些特點了。
3.1當給PN接加正方向的外電場如圖5、6所示
圖（5） PN接加正的外電場的初始狀態 圖（6） PN接加正的外電場
①外電場將載流子推入空間電荷區，抵消一部分空間電荷，使空間電荷區變窄，削弱內電場；
②擴散運動增強，漂移運動減弱，平衡被打破，擴散運動大於漂移運動；
③在電源的作用下，擴散運動不斷進行，形成正向電流，PN結處於導通狀態。
在正向外電場的作用下，PN結導通了
3.2 當給PN接加反方向的外電場如圖7、8所示
圖（7） PN接加反的外電場初始狀態 圖（8） PN接加反的外電場
①外電場與內電場方向一致，空間電荷區變寬，內電場增強
②擴散運動減弱，漂移運動增強，平衡被打破，漂移運動大於擴散運動；
③漂移運動是少子的運動，少子濃度小，形成反向電流很小，PN結處於截止狀態。
在反向外電場的作用下，PN結截止了。
4、總結
PN結外接正電場就導電（足夠大），外接反電場就截止，這就是是PN結的特點單向導電性。這個特點有什麼用呢？我們可以利用PN結控制電流的路徑了，也就是說 我們想讓電流去哪裏不去哪裏 我們可以控制。
