DESAT檢測電路消隱電容並聯二極管

  在高壓預驅的使用中，一般會在DESAT檢測電路的外部消隱電容上並聯一個二極管，下面對該二極管的作用做一個說明。

  增加該二極管是爲了鉗位DESAT引腳的負壓。
  如下圖，當IGBT關斷的時候，此時驅動芯片內部的放電開關(DESAT Discharge Switch)閉合，將內部電流源旁路，DESAT二極管的結電容承受母線電壓(Vcj(0)=VBUS)。

  當IGBT開通時，IGBT CE電壓下降，DESAT二極管結電容開始放電，能量開始轉移到消隱電容上，電流如下圖紅色路徑，造成消隱電容上產生負壓。然後內部開關斷開，電流源開始給外部消隱電容Cb充電，負壓得以恢復。結電容越大，儲存的能量越大，造成的負壓越大。負壓可能會造成DESAT引腳損壞，增加額外的消隱時間，以至於在IGBT發生短路時不能立即保護。
$\color{red}{因此選用DESAT二極管時，一定要注意選取結電容小、反向恢復時間短的二極管。}$

  增加鉗位二極管可使該負壓鉗位在很小的值（視二極管參數決定）。

  如下仿真，驗證負壓的影響因素：
①二極管結電容爲29pF左右，DESAT負壓爲-27V左右；

②二極管結電容爲2.9pF左右，DESAT負壓爲-3.3V左右；

③結電容不變（2.9pF），修改驅動電阻爲16Ω、47Ω、100Ω，即調整dv/dt速度：

④固定dv/dt不變，調整Udc爲400V、500V、600V：

綜上，結電容越大，或者Udc越高，即結電容儲存的能量越多，IGBT開通時在DESAT引腳上產生的負壓越大。