經常會看到MOS驅動電路中柵極電阻會反並聯一個二極管。關於這個二極管的左右，提出個人見解，不一定正確：
MOS使用在半橋電路中的情況特別多，而半橋電路要求上下管具有死區時間，可能由於之前電子技術還不夠先進，控制芯片無法生成互補的帶死區時間的PWM信號，只能通過MOS“慢開快關”來生成死區。在柵極電阻上反並聯二極管就實現了MOS的快速關斷。
另外，大功率MOS一般用在不超過200V的低壓場合（當然很早就有600V左右的高壓MOS，用在小功率的開關電源中），而且一般不採取負壓驅動。驅動芯片一般也不會有米勒鉗位功能。要抑制米勒電容引起的寄生導通只能通過增加柵極電容或者減小關斷狀態下的柵極迴路阻抗，因此反並聯二極管對抑制寄生導通有一定作用。
