在MOS或者IGBT並聯使用中，一般都會使用獨立柵極電阻，而不會將所有柵極通過一個公共柵極電阻進行硬並聯。
如果將所有柵極硬並聯，所有IGBT具有相同的Vge，因此各個並聯的IGBT不能獨立開關。Vgeth(閾值電壓)低的IGBT先導通，然後將柵極電壓鉗位在其米勒平臺電壓。在其完全導通前，其他IGBT無法進入完全開通狀態。因此最先開通的IGBT會承受幾乎全部電流，具有較大的開通損耗。
如果使用獨立柵極電阻，每一個IGBT的柵極電壓便能獨立上升。
以上解釋並未經過測試驗證，僅供參考，如果更好更權威的解釋歡迎評論，一起探討。