雙脈衝測試中IGBT驅動電阻和驅動電容的研究

  在LTspice中沒有雙脈衝波形發生器，要做一個雙脈衝的波形只能用電壓源來進行特殊設置，不是很方便，爲此我寫了一個雙脈衝波形發生器，有需要的可以下載。雙脈衝波形發生器。
　　如下，該元器件可以自定義延遲時間Td，第一個脈衝寬度T1，第二個脈衝寬度T3，兩個脈衝間隔T2，脈衝循環個數Ncycle以及高低電平Vhigh，Vlow。
　　
　　
　　
以下結論可能只適用於平面柵IGBT，溝道柵IGBT不一定是這種規律。不同工藝的半導體器件特性是不一樣的，目前我也沒有找到足夠的理論依據，也不能分析的很透徹。實踐是檢驗真理的唯一標準，理論提供一個調整方向。因此無論是MOS還是IGBT，當我們調整參數得不到滿意結果時，可以反向調整參數試試！比如不要一味的加大柵極電容，沒準去掉後效果反而更好。

1. IGBT開通時Rg的影響：
   如果增大Rg：
   ①開通延時增加；
   ②di/dt和dv/dt減小；
   ③反向恢復電流尖峯減小；
   ④開通損耗增加；
   
2. IGBT關斷時Rg的影響：
   如果增大Rg：
   ①關斷延時增加；
   ②di/dt和dv/dt減小；
   ③關斷電壓尖峯減小；
   ④關斷損耗增加；
   
3. IGBT開通時Cge的影響：
   如果增大Cge：
   ①開通延時增加；
   ②di/dt和dv/dt減小；
   ③反向恢復電流尖峯減小；
   ④開通損耗增加；
   
4. IGBT關斷時Cge的影響：
   如果增大Cge：
   ①關斷延時增加；
   ②di/dt和dv/dt減小；
   ③關斷電壓尖峯減小；
   ④關斷損耗增加；
   $\color{red}{調整Cge對IGBT關斷時Vce和Ic波形影響相對較小！}$
   
   增加Cge的好處：雖然增加了開關損耗，但降低了反向恢復，減小了反向恢復的dv/dt。