Vivado中RAM分爲分佈式RAM和塊RAM。兩種實現方法在向RAM寫入數據時都是採取同步方式，區別在於從RAM讀取數據時，分佈式RAM採用異步方式，塊RAM採用同步方式。
塊RAM分爲單口RAM和雙口RAM. 單口RAM只有一組數據線與地址線，因此讀寫不能同時進行。而雙口RAM有兩組數據線與地址線，讀寫可同時進行。FIFO讀寫可同時進行，可以看作是雙口。
賽靈思官方將雙口RAM分爲Simple Dual Port RAM(僞雙口RAM)和True Dual Port RAM(雙口RAM)。
僞雙口RAM，一個端口只寫，另一個端口只讀；而雙口RAM兩個端口都可以讀寫。FIFO也是一個端口只讀，另一個端口只寫。FIFO與僞雙口RAM的區別在於，FIFO爲先入先出，沒有地址線，不能對存儲單元尋址；而僞雙口RAM兩個端口都有地址線，可以對存儲單元尋址。
僞雙口RAM只有一個寫端口，一個讀端口。
blk_mem_gen_0 IP_sram (
.clka(clk), // input wire clka
.ena(ena), // input wire ena
.wea(wr), // input wire [0 : 0] wea
.addra(addr_wr), // input wire [3 : 0] addra
.dina(map_in), // input wire [15 : 0] dina
.clkb(clk), // input wire clkb
.enb(enb), // input wire enb
.addrb(addr_rd), // input wire [3 : 0] addrb
.doutb(map_out) // output wire [15 : 0] doutb
);
真雙口RAM分別有兩個寫端口和兩個讀端口。
無論是簡單雙口RAM還是真雙口RAM，在沒有讀操作的情況下，應將讀使能rden信號拉成低電平，節省功耗。
在兩種情況下，都應當避免read-during-write，雖然可在軟件中進行設置，但是，作爲設計者，應當儘量避免此種情況。
對於真雙口RAM，還應當避免兩個讀端口或者兩個寫端口同時操作同一個地址，RAM中並沒有此種衝突解決電路，設計者應該避免這種衝突。
無論是那種雙口RAM，讀時序圖是相同的。
當讀使能有效時，數據會在時鐘下一個上升沿從Q端輸出。
真雙口RAM給設計帶來很多便利。在高速存儲中，需要對連續的數據同時處理，使用簡單雙口RAM只能讀取一個數據，而使用真雙口RAM可以同時讀取兩個數據，這樣明顯提高讀取速度以及處理速度。