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1、三級管驅動電路設計及使用
三極管，全稱應爲半導體三極管，也稱雙極型晶體管、晶體三極管，是一種控制電流的半導體器件。其作用是把微弱信號放大成幅度值較大的電信號，也用作無觸點開關。
三極管是半導體基本元器件之一，具有電流放大作用，是電子電路的核心元件。三極管是在一塊半導體基片上製作兩個相距很近的PN結，兩個PN結把整塊半導體分成三部分，中間部分是基區（b），兩側部分是發射區（e）和集電區（c），排列方式有PNP和NPN兩種，如下所示：
1.1、NPN型三極管
NPN型三極管，適合集電區（c）連接負載到VCC，發射區（e）連接到GND，若此時基區（b）電壓高於發射區（e）0.7V，NPN型三極管導通。基區（b）用高電平驅動NPN型三極管導通，低電平驅動截止。
NPN型三極管驅動電路設計時，基區（b）除了連接限流電阻外，最好連接10~20K下拉電阻到GNG，優點如下所示：
①使基區（b）控制電平由高變低時，基區（b）能夠更快被拉低，NPN型三極管能夠更快更可靠地截止；
②系統剛上電時，基極是確定的低電平。
1.2、PNP型三極管
PNP型三極管，適合發射區（e）連接到VCC，集電區（c）連接負載到GND，若此時基區（b）電壓低於發射區（e）0.7V，NPN型三極管導通。基區（b）用高電平驅動PNP型三極管截止，低電平驅動導通。
PNP型三極管驅動電路設計時，基區（b）除了連接限流電阻外，最好連接10~20K上拉電阻到VCC，優點如下所示：
①使基區（b）控制電平由低變高時，基區（b）能夠更快被拉高，PNP型三極管能夠更快更可靠地截止；
②系統剛上電時，基極是確定的高電平。
NPN和PNP三極管電流放大滿足以下條件：
①三極管直流增益（β/hFE）公式爲：β/hFE≈Ic/Ib，故β/hFE=Ic/Ib=57mA/567uA≈100（以上選型的NPN和PNP三極管β/hFE爲100）；
②Ic≈Ib+Ie，故57mA≈567uA+57mA。
2、場效應管驅動電路設計及使用
場效應管是一種利用場效應原理工作的半導體器件，和三極管相比，場效應三極管具有輸入阻抗高、噪聲低、動態範圍大、功耗小及易於集成等特點，可應用於小信號放大、功率放大、信號驅動及振盪器中。
場效應管可分爲結型場效應三極管(JFET)和絕緣柵型場效應三極管(MOSFET) 兩種，每種類型又有N溝道和P溝道兩種結構。場效應三極管有柵極（gate）、源極（source）和漏極（drain）3個管腳，分別相當於三極管的基區（b）、發射區（e）和集電區（c）。由於場效應三極管的源極S和漏極D是對稱的，實際應用中可以互換。場效應三極管與普通三極管在外觀上有相似之處，電路符號分別如下所示：
下面以絕緣柵型場效應三極管(MOSFET)爲例，簡要介紹其驅動電路設計及使用。
2.1、 P-MOS場效應管
P-MOS場效應管，適合源極（source）連接VCC，漏極（drain）連接負載到GND，當柵極（gate）電壓低於源極（source）電壓超過閾值電壓（Vth）後，P-MOS場效應管導通。柵極（gate）用低電平驅動P-MOS場效應管導通，高電平時截止。
設定下圖P-MOS場效應管閾值電壓（Vth）爲-1.5V，導通狀況如下所示：
P-MOS場效應管驅動電路設計時，除了連接限流電阻外，最好連接10~20k上拉電阻到VCC，使柵極（gate）控制電平由低變高時，能夠更快被拉高，P-MOS場效應管能夠更快更可靠地截止。
2.2、 N-MOS場效應管
柵極（gate）、源極（source）和漏極（drain）
N-MOS場效應管，適合源極（source）連接GND，漏極（drain）連接負載到VCC，當只要柵極（gate）電壓高於源極（source）電壓超過閾值電壓（Vth）後，N-MOS場效應管即可導通。N-MOS場效應管用高電平驅動導通，低電平截止。
設定下圖N-MOS場效應管閾值電壓（Vth）爲1.5V，導通狀況如下所示：
N-MOS場效應管柵極（gate）除連接限流電阻外，更優的設計是，連接接10~20k下拉電阻到GND，使柵極（gate）控制電平由高變低時，能夠更快被拉低，N-MOS場效應管能夠更快更可靠地截止。
