電磁波的傳播

電磁波在介質表面的反射和折射

均勻線性介質中的電磁波

波動方程

2Eεμ2Et2=0

特解

E=E0ei(kzωt)B=B0ei(kzωt)

性質

  • 相速度,等相面的運動速度

    krωt=const.


    v=dr0dt=ωk
  • 波速
    將特解代入波動方程,得ωk 的關係

    k2=εμω2

    代入相速度方程,得
    v=ωk=1εμ=ε0μ0εμc

    εε0>1μμ01 ,所以介質中的波速始終小於光速。
  • BE 的關係

    B=kωE=εμek×E=1vek×E

介質表面的折射和反射

這裏寫圖片描述

  • z=0 爲界面,上方是介電常數和磁導率分別爲ε,μ 的均勻線性介質,下方的介電常數和磁導率是ε,μ
  • 因爲一般的電磁波可以分解成平面波,所以只考慮平面波的情形。
  • 平面斜入射的平面波的方程
    E=E0ei(krωt)B=1vek×E

    其中k=(kx,0,kz)
  • 折射波的方程
    E=E0ei(krωt)B=μεek×E
  • 反射波的方程
    E′′=E′′0ei(k′′rω′′t)B′′=μεe′′k×E′′
  • 根據E 在界面切向的連續性,得
    E0xei(kxxωt)+E′′0xei(k′′xx+k′′yyω′′t)=E0xei(kxx+kyyωt)

    這個式子在任意(x,y,t) 都成立,所以有
    kx=k′′x=kxky=k′′y=0ω=ω′′=ω

    所以說反射和折射不改變入射波的頻率。
  • 反射波的k
    根據

    k=μεω

    入射波和反射波的環境和頻率都相同,所以
    k′′=k

    所以
    k2x+k2z=k′′2x+k′′2z

    因爲k′′x=kz ,所以
    |k′′z|=|kz|,k′′z=kz
  • 折射波的k
    折射波和入射波在不同的介質中,波速不同,波長也不同。

    λλ=kk=μεμε
  • 定義折射率
    n=μεμ0ε0

    則有
    λλ=nn
  • 折射定律
    由於
    sini=kxk,sini=kxk

    所以
    sinisini=kk=nn


    nsini=nsini

反射波和折射波的強度

三個波的相因子已經相等,所以還需要確定反射波和折射波的振幅。根據邊界條件
E 連續,得

n×(E0+E′′0E0)=0

D 連續,得
n(D0+D′′0D0)=0

H 連續,得
n×(H0+H′′0E0)=0

B 連續,得
n(B0+B′′0B0)=0

在線性介質中,
n×(E0+E′′0E0)=0n(εE0+εE′′0εE0)=0n×(1μk×E0+1μk′′×E′′01μk×E0)=0n(k×E0+k′′×E′′0k×E0)=0

考慮兩種特殊情形
  1. E 垂直於入射面
    利用兩個切向連續的方程解得

    E0E0=2μncosiμncosi+μncosiE′′0E0=μncosiμncosiμncosi+μncosi
  2. E 平行於入射面
    利用兩個法向連續的方程解得

    E0E0=2μncosiμncosi+μncosiE′′0E0=μncosiμncosiμncosi+μncosi

一般可以認爲μ=μ=1 ,所以有垂直入射時

E0E0=2ncosincosi+ncosiE′′0E0=ncosincosincosi+ncosi=sin(ii)sin(i+i)

平行入射時
E0E0=2ncosincosi+ncosiE′′0E0=ncosincosincosi+ncosi=tan(ii)tan(i+i)

特殊情形

在此基礎上討論幾個特殊情形

半波損失

上述的電場振幅都是複數,但是它們的比值都是實數。如果比值爲負,說明相位發生突變,稱爲半波損失
可以看出,折射波不會發生半波損失,只有垂直偏振的波(\? )從光疏介質向光密介質中入射時纔會發生半波損失。

平行偏振的反射波的消失

平行偏振的反射波

E′′0E0=tan(ii)tan(i+i)

所以當i+i=0 的時候,E′′0=0 ,這時反射波不存在。這個特殊角稱爲布儒斯特角,記作iB 。結合折射定律,得
taniB=nn

全反射

當電磁波從光密介質向光疏介質入射時,折射角大於入射角。由於折射角不大於π2 ,所以入射角存在一個臨界值。下面考慮入射角超過這個臨界值的情形。

當入射角大於臨界值時,折射定律仍然成立,不過此時無法定義折射角,折射定律的形式爲

nsini=nkxk=nkxk(kx=kx)

此時kx>k ,因爲k2=k2x+k2z ,所以kz 是純虛數,kz=iτ ,所以折射波可以表示成
E=E0eτzei(kxxωt)

沿界面傳播,且幅度隨着透射深度衰減。

導電介質中的電磁波

電磁波在導體中會產生電流,產生焦耳熱,導致波的耗散和衰減。

E=0×E=BtB=0×B=μ0j+εμEt=μ0σE+εμEt

由此得到的波動方程多了一個阻尼項

2EμσEtεμ2Et2=0

方程的特解仍然可以寫成

E=E0ei(krωt)

代回方程,可以得到kω 的關係。
k2=k2x+k2y+k2z=εμω2+iμσω

相比於介質中的關係,這是一個複數關係,因此ωk 中至少有一個分量是複數。

擾動電場產生的電磁波

如果t=0 時導體內有一個擾動電場 E0(r) ,將電場用傅里葉變換展開,得

E0(r)=eikrE0k(r)dk

其中,每個E0k(r) 是一個單頻的平面波,k 爲實數。它們都滿足上面的推導,所以每個分量的ω 都是複數。設ω=ω0iω1 ,那麼

Ek=E0kei(krωt)=E0keω1tei(krω0t)

這是一個振幅隨時間衰減的波。

導體中的透射波

若電磁波從導體外面射入導體(假設垂直入射),那麼和上節的結論相同

ω=ω=ω′′

所以k 是複數。
不妨設透射波的k=(0,0,kz)kz=kz0+iτ ,那麼電波的方程
E=E0eτzei(kz0zωt)

波幅不隨時間衰減,而隨距離(透射深度)衰減,所以這仍然是一個穩態的波。kz0 描述透射波的傳播,τ 描述衰減的深度。


k2=k2x+k2y+k2z=εμω2+iμσω

兩邊的實部和虛部分別相等,得

k2z0τ2=εμω2kz0τ=12μσω

上式說明總有kz0>τ ,分兩種情況討論

不良導體


τkz0

即衰減很弱,那麼
σ2εω

σ 很小,這種情況對應着不良導體。此時解得
kz0=εμω=μεμ0ε0kτ=12μεσ

和不導電介質中基本相同。

良導體

如果τkz0 ,那麼

k2z0τ2kz0τ

所以
σ2εω

σ 很大,對應良導體的情形。此時解得
kz0=τ=12μσωεμω=μεμ0ε0k

波長比在不導電介質中短很多,且振幅衰減很快,穿透深度1τ 和波長相當。

下面考慮振幅。設入射波是沿x 方向的線偏振波,由EH 的連續性,並忽略μμ0 的差別,得到

E0+E′′0=E0k(E0E′′0)=kE0

解得
E′′0E0=kkk+kE0E0=2kk+k

對於良導體,k=k0(1+i) ,k0k=12μσωμ0ε0ω=σ2ε0ω
所以kk=σε0ωeiπ41
所以
E′′0E0=1E0E0=2ε0ωσ1

這說明入射波幾乎不能進入良導體,幾乎完全被反射了。

理想導體

σ 的導體稱爲理想導體,理想導體內沒有電磁場。在導體的邊界條件中

nE=Σεn×E=0nB=0n×B=μK

EB 都是指導體外面的電磁場。
所以導體外面的電場垂直於表面;磁場平行於表面;導體能通過調節表面電荷密度和麪電流密度保證內部電磁場爲0.

微波在波導管內的傳播

高頻電磁波的傳播不能直接用導線,否則能量損失嚴重。微波常常用波導管來傳輸。現在討論一個矩形波導管模型。
這裏寫圖片描述

建模

設一個截面爲矩形的波導管,x,y 方向的長度分別爲a,b ,在波導管中沿z 軸方向傳播的電磁波滿足的方程

2E1c22Et2=0

由於理想導體的特性,邊界條件
Ey|x=0,a=0Ex|y=0,b=0Ez|x=0,a;y=0,b=0

求解

方程的特解爲

E=E0(x,y)ei(kzzωt)

其中
E0x=[αx1cos(kxx)+αx2sin(kxx)][βx1cos(kyy)+βx2sin(kyy)]E0y=[αy1cos(kxx)+αy2sin(kxx)][βy1cos(kyy)+βy2sin(kyy)]E0z=[αz1cos(kxx)+αz2sin(kxx)][βz1cos(kyy)+βz2sin(kyy)]

代入邊界條件,得
E0x=[A1cos(kxx)+A2sin(kxx)]sin(kyy)E0y=sin(kxx)[B1cos(kyy)+B2sin(kyy)]E0z=C1sin(kxx)sin(kyy)kx=mπaky=nπak2x+k2x+k2x=ω2c2

A1,A2,,B1,B2,C1 都是待定的復常數。代入橫波性條件E=0 ,得
kx(A1sinkxk+A2coskxx)sinkyy+kysinkxx(B1sinkyy+B2coskyy)+ikzC1sin(kxx)sin(kyy)=0

對任意的點都成立,可以得
A2=0B2=0kxA1+kyB1ikzC1=0

所以
E0x=A1cos(kxx)sin(kyy)E0y=B1sin(kxx)cos(kyy)E0z=C1sin(kxx)sin(kyy)kx=mπaky=nπak2x+k2y+k2z=ω2c2

磁場

磁場B 的形式也是

B=B0(x,y)ei(kzzωt)

根據Bt=×E

得到
B0x=1ω(\?)(B1kz+iC1ky)sin(kxx)cos(kyy)B0y=1ω(A1kz+iC1kx)cos(kxx)sin(kyy)B0z=iω(B1kxA1ky)cos(kxx)cos(kyy)

可以看出,當給定ω,m,n 之後,kz 也確定了,還需要A1,B1,C1 中四個實參量,就可以得到確定的解。

橫電/磁波型

可以引入兩種基本波型作爲基。滿足

C1=0
的波作爲一種基本波型,滿足
B1kz=A1ky
的波作爲另一種基本波型。前一種電矢量垂直於傳播方向稱爲橫電型波TEmn ,後一種磁矢量垂直於傳播方向,稱爲橫磁型波TMmn

頻率和波導管尺寸的關係

由於

k2x+k2y+k2z=(mπa)2+(nπb)2+k2z=ω2c2

的限制,在波導管內要傳播頻率ω 的波,m,n 都有上限,具體個數和波導管的尺寸有關。而對一根固定的波導管來說,因爲m,n 不能同時爲0 ,所以ω 有下限,即
ωmin=cπl,l=max{a,b}

波長
λmax=2πcωmin=2l

所以波導管能傳送的最大波長是2l

本篇主要參考俞允強《電動力學簡明教程》

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